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中國國產(chǎn)DUV光刻機迎來里程碑式進(jìn)步套刻≤8nm

2024-09-19

  IT之家 9 月 15 日消息,工業(yè)和信息化部于 9 月 9 日印發(fā)《首臺(套)重大技術(shù)裝備推廣應(yīng)用指導(dǎo)目錄(2024 年版)》通知,在文件列表包含國產(chǎn)氟化氪光刻機(110nm),和氟化氬光刻機(65nm)的內(nèi)容。

  中國首臺(套)重大技術(shù)裝備是指國內(nèi)實現(xiàn)重大技術(shù)突破、擁有知識產(chǎn)權(quán)、尚未取得明顯市場業(yè)績的裝備產(chǎn)品,包括整機設(shè)備、核心系統(tǒng)和關(guān)鍵零部件等。

中國國產(chǎn)DUV光刻機迎來里程碑式進(jìn)步套刻≤8nm(圖1)

  氟化氪(KrF)和氟化氬(ArF)兩種氣體均服務(wù)于深紫外(DUV)光刻機,產(chǎn)生深紫外光的準(zhǔn)分子激光器。

  目前來說,光刻機共經(jīng)歷了五代的發(fā)展,從最早的 436 波長,星空體育APP再到第二代光刻機開始使用波長 365nm i-line,第三代則是 248nm 的 KrF 激光。第四代就是 193nm 波長的 DUV 激光,這就是 ArF 準(zhǔn)分子激光。

  ArF(氟化氬)準(zhǔn)分子激光源光刻機,光源實際波長突破 193nm,星空體育APP縮短為 134nm,NA 值為 1.35,最高可實現(xiàn) 7nm 制程節(jié)點。

  浸入技術(shù)是指讓鏡頭和硅片之間的空間浸泡于液體之中,由于液體的折射率大于 1,使得激光的實際波長會大幅度縮小。

  套刻精度就是常說的“多重曝光能達(dá)到的最高精度”,按套刻精度與量產(chǎn)工藝 1:3 的關(guān)系,這個光刻機大概可以量產(chǎn) 28nm 工藝的芯片。

  28 納米光刻機,是芯片中低端和中高端的分界線,意味著工業(yè)獨立,中國的空調(diào)洗衣機汽車等各類工業(yè)品,可以突破西方國家設(shè)置的重重封鎖,自主生產(chǎn)銷售。