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半導(dǎo)體晶圓激光切割技術(shù)大盤點

2024-08-25

  近年來,隨著光電產(chǎn)業(yè)和微電子技術(shù)的迅猛發(fā)展,許多行業(yè)如航天、航空、機(jī)械、輕工和化工等領(lǐng)域都在向集成化和小型化方向發(fā)展。這種趨勢推動了集成電路的集成度不斷提高,功能越來越復(fù)雜,封裝密度不斷增加,而器件的體積卻逐漸縮小。在集成電路芯片的制造過程中,晶圓切割是至關(guān)重要的一步,其質(zhì)量直接影響到芯片的最終性能。

  隨著摩爾定律的推進(jìn),半導(dǎo)體晶圓的厚度逐漸減小,導(dǎo)致其脆性增加,使得在切割過程中更容易出現(xiàn)破裂。此外,現(xiàn)代集成電路制造中引入了許多新材料,如低k材料,這些材料雖然能夠減少信號延遲,但與傳統(tǒng)硅基襯底的附著力較弱,給切割工藝帶來了新的挑戰(zhàn)。傳統(tǒng)的金剛石切割技術(shù)在應(yīng)對這些挑戰(zhàn)時顯得力不從心,難以滿足當(dāng)前對高質(zhì)量和高精度的需求。

  為了解決這些問題,激光切割技術(shù)逐漸興起,成為一種有效的替代方案。激光切割通過非接觸式操作,實現(xiàn)了高精度和高控制力的切割過程,能夠有效降低晶圓在切割時的破裂風(fēng)險,并減少熱影響區(qū)的大小。這項技術(shù)不僅提高了晶圓切割的質(zhì)量和速度,還在提高生產(chǎn)效率和產(chǎn)品一致性方面表現(xiàn)優(yōu)異。

  此外,星空體育下載激光切割技術(shù)的應(yīng)用范圍也在不斷擴(kuò)大,不僅限于半導(dǎo)體領(lǐng)域,還包括醫(yī)療器械、光學(xué)元件和微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)等領(lǐng)域。在這些應(yīng)用中,激光技術(shù)憑借其處理復(fù)雜和微小結(jié)構(gòu)的能力,成為精密制造中的重要工具。

  本文將重點介紹幾種新型激光切割工藝的基本原理及其優(yōu)缺點,探討如何通過這些技術(shù)提升晶圓切割質(zhì)量、提高切割速度,并解決切割過程中熱影響區(qū)過大的問題。隨著這些新技術(shù)的應(yīng)用,半導(dǎo)體制造領(lǐng)域?qū)⒂型麑崿F(xiàn)更高的效率和更好的產(chǎn)品質(zhì)量,從而推動整個行業(yè)的技術(shù)進(jìn)步。

  傳統(tǒng)金剛石切割技術(shù)是早期集成電路制造中常用的接觸式刀片切割方法,通過高速旋轉(zhuǎn)的金剛石鋸片切割晶圓,并使用冷卻液來減少熱損傷和清除雜質(zhì)。然而,隨著光電和微電子產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展,現(xiàn)代半導(dǎo)體晶圓制造過程中引入了低介電常數(shù)材料(low-k),這些材料與硅襯底的附著力較低,導(dǎo)致傳統(tǒng)金剛石切割容易產(chǎn)生崩缺、裂紋、金屬層掀起等問題,嚴(yán)重影響切割質(zhì)量。此外,金剛石切割還存在切割線寬過大、刀片易磨損、冷卻液需求大和成本高等缺點。

半導(dǎo)體晶圓激光切割技術(shù)大盤點(圖1)

  傳統(tǒng)的激光劃片切割技術(shù)是一種非接觸式半劃工藝,通過專門的光學(xué)系統(tǒng)將高能量激光束聚焦在晶圓表面,使被照射區(qū)域的材料熔化、氣化,從而實現(xiàn)材料的去除和劃片。通常情況下,這種技術(shù)會在晶圓表面切割出深度為晶圓厚度1/4至1/3的劃痕,隨后通過裂片工藝將晶圓分割成獨立的晶粒。

  在激光切割過程中,切割速度和切割質(zhì)量是關(guān)鍵考慮因素,這包括切割速度、材料濺射重凝、熱影響區(qū)、裂紋和晶粒強(qiáng)度等。激光波長、脈寬、功率和重復(fù)頻率等參數(shù)的選擇對切割效果有顯著影響。研究表明,使用短波長、低脈寬、低功率和高重復(fù)頻率的激光器,可以提高加工速度,并改善晶圓質(zhì)量和強(qiáng)度,同時減少熱影響區(qū)。

  固體激光器(DPSS)被廣泛應(yīng)用于晶圓激光切割,但由于其波長較長,容易導(dǎo)致較大的熱影響,進(jìn)而降低晶粒的強(qiáng)度和性能。通過調(diào)整激光功率和掃描速度,可以優(yōu)化切割質(zhì)量,避免因高功率而產(chǎn)生的裂紋和崩邊問題。

  盡管傳統(tǒng)激光切割技術(shù)相比金剛石切割技術(shù)具有速度快、非接觸式切割無刀具損耗、晶圓利用率高等優(yōu)勢,但其熱效應(yīng)仍然會導(dǎo)致熱影響區(qū)過大,從而減少晶圓的有效使用面積,并且可能產(chǎn)生微裂縫,影響芯片性能。此外,激光聚焦光斑的焦深控制難度較大,限制了劃片深度的精確控制。為了解決這些問題,激光隱形切割技術(shù)應(yīng)運而生,并在這些方面表現(xiàn)出更好的工藝效果。

半導(dǎo)體晶圓激光切割技術(shù)大盤點(圖2)

  激光隱形切割技術(shù)是為了解決傳統(tǒng)激光切割中由于熱效應(yīng)導(dǎo)致的微裂縫問題而發(fā)明的,尤其是在芯片制造過程中,傳統(tǒng)技術(shù)容易因熔化效應(yīng)造成切縫寬度增加和微裂縫,進(jìn)而影響芯片性能。日本Hamamatsu Photonics公司開發(fā)的激光隱形切割技術(shù)通過改變激光的作用方式,有效避免了這些問題。

半導(dǎo)體晶圓激光切割技術(shù)大盤點(圖3)

  該技術(shù)利用DPSS激光器,激光束通過聚焦透鏡穿透晶圓表面,直接聚焦在晶圓內(nèi)部,形成高位錯密度層(SD層),這一微裂縫層促進(jìn)晶圓的分割。隨后通過擴(kuò)晶工藝將裂縫擴(kuò)展至晶圓的上下表面,完成切割。與傳統(tǒng)的正面激光切割不同,隱形激光切割從晶圓背面進(jìn)行激光聚焦,避免了正面熱損傷的問題,且切割深度可根據(jù)晶圓厚度調(diào)整,每次掃描的深度大約在25μm至45μm之間。

  切割效果受激光波長、功率、頻率、速度、光斑重疊率和焦點位置等參數(shù)的影響。通常選擇波長超過1000nm的激光,以確保激光能穿透晶圓表面并在內(nèi)部聚焦。實驗表明,設(shè)置切割速度為300nm/s,頻率為80kHz,功率在0.2W至1.8W之間,可以形成理想的SD層而不破壞晶圓表面。光斑重疊率越大,切割線條的直線度和表面光滑度越好。

  相比傳統(tǒng)技術(shù),隱形激光切割大幅減少了微裂縫,切割線寬幾乎為零,提高了單位面積的產(chǎn)量和產(chǎn)品質(zhì)量。然而,該技術(shù)的背面聚焦模式增加了操作難度,使得精確控制成為一大挑戰(zhàn)。盡管如此,隱形激光切割仍然展現(xiàn)出其在高效和高質(zhì)量晶圓切割中的巨大潛力。

半導(dǎo)體晶圓激光切割技術(shù)大盤點(圖4)

  傳統(tǒng)的金剛石切割、傳統(tǒng)激光切割和隱形激光切割技術(shù)都屬于熱切割范疇,這些技術(shù)不可避免地會產(chǎn)生熱效應(yīng),導(dǎo)致較大的熱影響區(qū)和嚴(yán)重的熱變形。為了減少這些問題,瑞士Synova SA公司開發(fā)了一種微水導(dǎo)激光切割技術(shù),這是一種冷切割工藝,具有無熱效應(yīng)、無污染、使用成本低等優(yōu)勢。

  微水導(dǎo)激光切割技術(shù)通過將高壓水流轉(zhuǎn)化為低壓微細(xì)水射流束(直徑約為21μm至85μm),將激光聚焦在噴嘴的出口位置,并通過水柱波導(dǎo)效應(yīng)將激光傳輸?shù)骄A表面,實現(xiàn)材料的切割。由于切割過程中產(chǎn)生的熱量會立即被水流冷卻,因此這種技術(shù)幾乎不存在熱效應(yīng),熱影響區(qū)極小,同時水流還能帶走切割過程中產(chǎn)生的殘渣,減少污染。

  切割效果受到多種工藝參數(shù)的影響,如脈寬、水泵壓力、加工距離和單位脈沖能量等。脈寬影響切割的寬度和深度,但過大的脈寬會增加熱損傷,降低加工質(zhì)量。水泵壓力過高會導(dǎo)致水流發(fā)散,影響激光耦合效應(yīng)和切割質(zhì)量。加工距離的選擇需要權(quán)衡積水引起的能量損失與冷卻效果的減弱,而單位脈沖能量則直接影響切割速度和深度,星空體育下載但過高的能量會增加熱影響區(qū)。

  盡管微水導(dǎo)激光切割技術(shù)具有諸多優(yōu)點,但其耦合難度較大,工藝要求精度高,激光波長的選擇也受到限制。因此,在實際應(yīng)用中,需要精確控制工藝參數(shù),以充分發(fā)揮其技術(shù)優(yōu)勢。

半導(dǎo)體晶圓激光切割技術(shù)大盤點(圖5)

  整形激光切割技術(shù)基于光波衍射,利用衍射光學(xué)元件將激光沿焦深方向調(diào)整為多個焦點,從而提高加工深度。用單個焦點掃描SD層時需要多次調(diào)整焦深來實現(xiàn)不同深度的多次掃描,如果采用多焦點切割技術(shù),多個焦點可以同時工作,提高切割效率,而且單焦點多次切割會增加粗糙度,多焦點切割相比而言切割質(zhì)量更好。研究表明,采用整形技術(shù)將激光光斑整形為橢圓形,不僅可以提高切割速度,而且可以得到更加平滑的側(cè)壁表面。

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半導(dǎo)體晶圓激光切割技術(shù)大盤點(圖6)

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半導(dǎo)體晶圓激光切割技術(shù)大盤點(圖7)

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半導(dǎo)體晶圓激光切割技術(shù)大盤點(圖8)

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半導(dǎo)體晶圓激光切割技術(shù)大盤點(圖9)

半導(dǎo)體晶圓激光切割技術(shù)大盤點(圖10)

  第八屆國際碳材料大會暨產(chǎn)業(yè)展覽會(Carbontech 2024)將于12月5-7日在上海新國際博覽中心W1、W2、W3館盛大舉行,本屆展會預(yù)計展出面積40,000m2,匯集超800家全球碳材料產(chǎn)業(yè)鏈上下游廠家。同期舉辦主題論壇9場,閉門研討會1場,吸引來自金剛石、超精密加工、石墨烯、碳納米材料、碳纖維及其復(fù)合材料、碳碳復(fù)合材料、新能源碳材料等領(lǐng)域超50,000國內(nèi)外采購商蒞臨現(xiàn)場,為全球買家打造一個專業(yè)、創(chuàng)新、交流的全產(chǎn)業(yè)鏈合作盛宴。