光纖切割是一種常用光纖處理方法，現(xiàn)在常用的光纖切割也有相應(yīng)的專用設(shè)備，如單模光纖切割刀，專用大纖徑光纖切割刀等，也有許多公司致力于研發(fā)特種光纖的切割設(shè)備，如Vytran，藤倉大纖徑光纖切割刀。但是在高能光纖激光技術(shù)領(lǐng)域，采用的光纖大多數(shù)是大纖徑的多邊形包層光纖，如果切割刀頭的切割在多邊形的角上一般會留下刀口，在高功率激光傳輸時會形成受熱不均的熱點，影響激光傳輸，嚴重時這些熱點會燒毀光纖。在高能脈沖光纖激光器采用光子晶體光纖越來越多，因為光子晶體光纖的損傷閾值高，大纖芯，可實現(xiàn)無截止單模傳輸，由于其纖芯有一部分空心結(jié)構(gòu)，在對其切割拉力不好控制，在其端面切割的時容易造成纖芯坍塌，或引入切割端面時光纖細小材料碎屑，在傳輸高功率激光時會造成光纖損傷或燒毀。

　　此外一般的切割刀在處理光纖端面時，會浪費掉2-3cm的光纖，如果在光纖激光器中高增益的光纖切割掉2-3cm會影響激光增益水平，在切割某些微結(jié)構(gòu)光纖，或大纖芯的光子晶體光纖時，其價格昂貴，每次切割都會浪費2-3cm造成切割成本高的不利影響。而光纖切割刀僅限于切割光纖端面位置，如果光纖中間位置需要切割精確截取的話光纖切割刀不能實現(xiàn)該功能，光纖切割刀切割的時候需去掉涂覆層，而在光纖端面鍍膜時有時候需要留有光纖涂覆層。

　　為此，本發(fā)明公開一種光纖切割處理方法，利用氬離子源切割處理光纖，克服切割刀切割處理光纖時存在的缺陷。

　　本發(fā)明的目的是為了解決技術(shù)背景中存在的問題以及目前光纖切割處理工藝中存在的技術(shù)缺陷，提供一種光纖切割處理方法。

　　步驟一：將光纖切割操作區(qū)設(shè)置在一線安裝在線的底面上，第一光纖夾具3和第二光纖夾具4之間有一段距離，在第一光纖夾具3和第二光纖夾具4的中間的線的底面上，安裝鏡面反射裝置8；線的內(nèi)壁上安裝有氬離子槍5，氬離子槍5，的槍口在鏡面反射裝置8的正上方，氬離子槍5的槍口和鏡面反射裝置8有一段距離，在線的內(nèi)壁上還安裝有高分辨變焦CCD2；第一光纖夾具3、第二光纖夾具4、安裝鏡面反射裝置8和高分辨變焦CCD2分別通過導(dǎo)線連接；

　　步驟二：當(dāng)需要切割光纖時，通過控制器7控制線內(nèi)各裝置的動作；通過控制器7控制將待切割的光纖6安置在第一光纖夾具3和第二光纖夾具4上，用氬離子槍5進行切割；

　　步驟三：通過高分辨變焦CCD2觀察切割點的情況，并通過高分辨變焦CCD2觀察鏡面反射裝置8里的光纖的切割點下方的情況。

　　2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種光纖切割方法，其特征在于，所述的的線為切割操作空間，線所述的一種光纖切割方法，其特征在于，所述的高分辨變焦CCD2，其分有效像素大于1000萬，放大倍率在50-1000X。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種光纖切割方法，其特征在于，所述的光纖夾具3能夠夾持5-3000μm纖徑的光纖，并且能夠上下大幅移動，左右在2mm內(nèi)小間距移動增加所夾持光纖的拉力，通過控制器7的控制其移動；所述的光纖夾具4能夠夾持5-3000μm纖徑的光纖，并且能夠上下大幅移動，左右2mm內(nèi)小間距移動增加所夾持光纖的拉力，通過控制器7的控制其移動。

　　5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種光纖切割方法，其特征在于，所述的氬離子槍5為放電型離子源，其輸出離子束流能量范圍為0.01-20keV，使用的高純氬氣源，氬氣純度大于99.999％，其為控制器7所操作控制。

　　6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種光纖切割方法，其特征在于，所述的鏡面反射裝置8，上端為三角體結(jié)構(gòu)，并且雙面為鏡面，鍍有可見光到近紅外波段的寬鐠的高反射膜。

　　4、可以切割任意材料、任意纖徑、任意結(jié)構(gòu)光纖的任意位置和切割成任意角度。

　　5、切割過程對光纖長度無損耗，而一般的切割刀切割會切去夾具上的光纖2-3cm。

　　步驟一：將光纖切割操作區(qū)設(shè)置在一線安裝在線的底面上，第一光纖夾具3和第二光纖夾具4之間有一段距離，在第一光纖夾具3和第二光纖夾具4的中間的線的底面上，安裝鏡面反射裝置8；線的內(nèi)壁上安裝有氬離子槍5，氬離子槍5，的槍口在鏡面反射裝置8的正上方，氬離子槍5的槍口和鏡面反射裝置8有一段距離，在線的內(nèi)壁上還安裝有高分辨變焦CCD2；第一光纖夾具3、第二光纖夾具4、安裝鏡面反射裝置8和高分辨變焦CCD2分別通過導(dǎo)線連接；

　　步驟二：當(dāng)需要切割光纖時，通過控制器7控制線內(nèi)各裝置的動作；通過控制器7控制將待切割的光纖6安置在第一光纖夾具3和第二光纖夾具4上，用氬離子槍5進行切割；

　　步驟三：通過高分辨變焦CCD2觀察切割點的情況，并通過高分辨變焦CCD2觀察鏡面反射裝置8里的光纖的切割點下方的情況。

　　2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種光纖切割方法，其特征在于，所述的的線為切割操作空間，線所述的一種光纖切割方法，其特征在于，所述的高分辨變焦CCD2，其分有效像素大于1000萬，放大倍率在50-1000X。

　　4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種光纖切割方法，其特征在于，所述的光纖夾具3能夠夾持5-3000μm纖徑的光纖，并且能夠上下大幅移動，左右在2mm內(nèi)小間距移動增加所夾持光纖的拉力，通過控制器7的控制其移動；所述的光纖夾具4能夠夾持5-3000μm纖徑的光纖，并且能夠上下大幅移動，左右2mm內(nèi)小間距移動增加所夾持光纖的拉力，通過控制器7的控制其移動。

　　5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種光纖切割方法，其特征在于，所述的氬離子槍5為放電型離子源，其輸出離子束流能量范圍為0.01-20keV，使用的高純氬氣源，氬氣純度大于99.999％，其為控制器7所操作控制。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種光纖切割方法，其特征在于，所述的鏡面反射裝置8，上端為三角體結(jié)構(gòu)，并且雙面為鏡面，鍍有可見光到近紅外波段的寬鐠的高反射膜

　　使用氬離子源切割光纖，無論是否含有涂覆層，是否是端面位置都可以切割。并且可以切割任意纖徑，任意結(jié)構(gòu)，任意材料的光纖。也可以切割光纖上任意位置，都可以實現(xiàn)高精度切割?？梢园凑找髮⒐饫w切割成任意角度，并且切割后光纖端面可以實現(xiàn)超光滑水平，氬離子切割后能看見光纖端面完整的菊池花樣，無顆粒嵌入污染。有利于光纖的實際使用，尤其在高功率激光傳輸時可以保證端面無瑕疵無熱點，端面鍍膜中使用時可提高膜層的附著力。

　　本發(fā)明通過氬離子槍5對光纖截面進行豎直方向的逐步切割，在真空環(huán)境中利用有能量的氬離子源沖擊光纖纖體材料，并且氬離子源的束流直徑小于5μm，也就是說切割光纖中部的話對光纖長度的損耗僅僅為5μm，對于光纖使用長度有精細要求的可以滿足。氬離子沖擊光纖材料中的組成粒子，包含涂覆層中的高分子以及包層中石英以及摻有金屬元素和稀土元素都可以被氬離子所沖擊掉，隨著氬離子沖擊時間增加，光纖纖體逐漸被擊穿，類似于單向旋轉(zhuǎn)電鋸切割木材一樣，氬離子槍5豎直切割光纖時，光纖中顆粒逐漸被氬離子所沖擊走，這些沖擊掉的顆粒在真空室的真空泵的運作下被抽走。采用的氬離子是惰性氣體離子，不會與光纖材料的中粒子反應(yīng)或結(jié)合，實現(xiàn)無污染清潔切割。

　　在切割光纖6中部位置時，光纖夾具3和光纖夾具4成對使用，通過光纖夾具3和光纖夾具4的上下位置實現(xiàn)所需要切割的角度，通過光纖夾具3和光纖 夾具4的左右微小位移拉緊光纖。在僅切割端面時，光纖夾具3或光纖夾具4都可獨立使用，僅需要旋轉(zhuǎn)光纖夾具3或者4的上部夾持位置即可實現(xiàn)不同角度切割。

　　切割完成后光纖端面圖像監(jiān)測，可以通過高分辨CCD2與鏡面反射裝置配8合實現(xiàn)，其使用示意圖如圖3所示，通過鏡面反射裝置8上表面鍍有的鏡面高反膜將光纖端面的圖像反射到CCD2中，以檢查光纖端面切割是否無瑕疵和光滑。

　　本發(fā)明公開一種光纖切割處理方法，其中切割光纖中部位置時示意圖如圖1所示，切割光纖端面時示意圖如圖2所示，該切割處理方法的裝置結(jié)構(gòu)包括：

　　一高分辨變焦CCD2，其在線相連，用于監(jiān)測光纖切割實時圖像，并且可以使用控制器7調(diào)整其位置和放大倍數(shù)，根據(jù)實際的光纖切割端面大小和聚焦情況，其放大倍數(shù)為50-1000X，并且鏡頭前帶有聚光燈。切割完成后通過控制器7控制鏡面反射裝置8的位置，使其將光纖端面的圖像反射到高分辨CCD2中，能真實有效的看見切割后的光纖端面圖像。

　　一光纖夾具3，其在線的中部，用于夾持固定光纖6，可以夾持5-3000μm纖徑的光纖，在切割光纖6的中部位置時，與光纖夾具4成對使用，可以上下移動光纖夾具3和光纖夾具4的位置以調(diào)整所需要切割光纖6的角度，并且可以左右2mm內(nèi)小范圍移動，目的是拉緊光纖6。在切割光纖6端面位置時，光纖夾具3和光纖夾具4都可以獨立使用，其上部的夾具可以通過控制器7旋轉(zhuǎn)到所需的角度。其上下，左右移動通過控制器7控制。

　　一光纖夾具4，其在線的中部，用于夾持固定光纖6，星空體育平臺可以夾持5-3000μm纖徑的光纖，在切割光纖6的中部位置時，與光纖夾具3成對使用?？梢陨舷乱苿右哉{(diào)整所需要切割光纖6的角度，可以左右2mm內(nèi)小范圍移動，目的是拉緊光纖6。切割光纖6端面位置時，與光纖夾具3一樣，可以獨立操作使用。其上下，左右移動通過控制器7控制。

　　一氬離子槍5，其為潘寧放電型離子源，其輸出離子束流能量范圍為0.01-20keV，使用的是高純氬氣源，氬氣純度大于99.999％，輸出的離子束流直徑為5um。其輸出能量和位置為控制器7所操作控制。

　　一控制器7為一臺電腦及控制硬件系統(tǒng)，其可以對光纖夾具3和光纖夾具4的位移位置進行精確控制，以達到所要切割光纖的角度，在切割光纖6中間位置時，協(xié)調(diào)控制光纖夾具3和光纖夾具4；在僅切割光纖6端面位置時，可以獨立使用光纖夾具3或光纖夾具4，僅控制光纖夾具3或光纖夾具4上部夾持光纖的部分旋轉(zhuǎn)角度即可?？刂聘叻直鍯CD2，控制其移動位置和放大倍率?？刂歧R面反射裝置8，控制其上下左右移動，此外還可以對氬離子槍5進行控制，可以控制器束流能量實現(xiàn)不同的切割速率，其控制操作通過兩個軟件模塊完成，分別是光纖夾具3、光纖夾具4、鏡面反射裝置8位移控制和氬離子槍5位移和輸出能量控制模塊，兩個模塊都集成控制器7上?？刂破?是整個裝置的操作和控制部分。

　　3、通過控制器7調(diào)整光纖夾具3和光纖夾具4，上下調(diào)整光纖達到所需切割的角度，同時左右調(diào)整給光纖施加拉力，拉力大小根據(jù)光纖纖徑而定，一般400μm光纖，拉力在4N。調(diào)整高分辨CCD2的位置，檢查氬離子槍5的槍口位置是否正對著光纖6所需切割的位置并與之垂直。

　　4、啟動氬離子槍5開始光纖6截面切割，根據(jù)光纖纖徑大小調(diào)整束流能量大小，并且光纖切割深度不一樣，切割的截面也不一樣，影響切割速率。一般 對于400μm石英圓光纖，在12keV束流能量下，切割速率可以達到500μm/h。束流能量越高相對應(yīng)的切割速率越快。

　　5、待切割結(jié)束后，將光纖夾具4水平移動，將鏡面反射裝置8向上移動，使得鏡面反射裝置能將光纖端面的圖像反射到高分辨CCD2中，其使用的示意圖如圖3所示。同時將通過高分辨CCD2采集的數(shù)據(jù)驗證端面處理結(jié)果。如果無瑕疵即可，停止真空泵一段時間后等線內(nèi)的真空環(huán)境慢慢破壞后打開線即可。

　　以上所述的具體實時方法，對本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和有益效果進行了進一步詳細說明，所應(yīng)理解的是，以上所述僅為本發(fā)明的具體實施例而已，并不用于限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、 改進等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。此外，上述對各元件和方法的定義并不僅限于實施例中提到的各種具體結(jié)構(gòu)、形狀或方式，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可對其進行簡單地更改或替換，例如：將本發(fā)明簡單應(yīng)用到一束光纖的端面處理，以及石英棒的切割處理中。發(fā)明公開一種光纖切割處理方法，通過離子源沖擊工藝來切割處理光纖?？梢越鉀Q傳統(tǒng)光纖切割工藝的缺陷，可以處理任意纖徑、結(jié)構(gòu)、材料的光纖，并可以切割光纖的任意位置，無論是否含有涂覆層，可以將光纖切割成任意角度，并且無光纖浪費。

　　1.本發(fā)明公開一種光纖切割方法，其特征在于使用氬離子源對光纖進行切割處理?？梢郧懈钊我獠牧?、任意纖徑、任意結(jié)構(gòu)光纖的任意位置和切割成任意角度。其包括：

　　一線，其內(nèi)為光纖切割操作區(qū)，包含一高分辨變焦CCD2，一光纖夾具3，另一光纖夾具4，一氬離子槍5；

　　一光纖6，其與光纖夾具3和光纖夾具4相連接，并被光纖夾具3和光纖夾具4所固定；

　　一控制器7；其與高分辨相機2相連接，與光纖夾具3相連接，與光纖夾具4相連接，與氬離子槍5相連接。

　　所述的光纖6，可以為任意纖徑，任意結(jié)構(gòu)，任意材料的光纖。其涂覆層可以根據(jù)實際需要去掉或保留。目前光纖的纖徑范圍在50-3000μm。

　　所述的控制器7為一臺電腦及控制硬件系統(tǒng)，其可以對光纖夾具3和光纖夾具4的位移位置進行精確控制，以達到所要切割光纖的角度，可以控制鏡面反射裝置8，控制其上下左右移動，此外還可以對氬離子槍5進行控制，可以控制器束流能量實現(xiàn)不同的切割速率，其控制操作通過兩個軟件模塊完成，分別是光纖夾具3、光纖夾具4控制和氬離子槍5控制模塊，兩個模塊集成在一個控制器7上。