切割加工方法包括以下工序：在加工對(duì)象物(1)形成改性區(qū)域；以及在加工對(duì)象物(1)形成了改性區(qū)域之后，沿著切割預(yù)定線(xiàn))進(jìn)行切割。在對(duì)加工對(duì)象物(1)進(jìn)行切割的工序中，通過(guò)在加工對(duì)象物(1)借助自重和吸附中的至少任一者固定于支承件的狀態(tài)下，從加工對(duì)象物(1)的表面(3)朝向背面(4)實(shí)施干蝕刻處理，從而從加工對(duì)象物(1)的表面(3)直到背面(4)地形成槽。

　　改性區(qū)域之后，沿著切割預(yù)定線(xiàn))進(jìn)行切割。在對(duì)加工對(duì)象物(1)進(jìn)行切割的工

　　1.一種切割加工方法，其用于沿著切割預(yù)定線(xiàn)對(duì)板狀的加工對(duì)象物進(jìn)行切割，其中，

　　通過(guò)使聚光點(diǎn)對(duì)準(zhǔn)所述加工對(duì)象物地照射激光，從而在所述加工對(duì)象物沿著所述切割

　　在所述加工對(duì)象物形成了所述改性區(qū)域之后，沿著所述切割預(yù)定線(xiàn)對(duì)所述加工對(duì)象物

　　通過(guò)在所述加工對(duì)象物借助自重和吸附中的至少任一者固定于支承件的狀態(tài)下，從所

　　述加工對(duì)象物的表面朝向背面實(shí)施干蝕刻處理，從而從所述加工對(duì)象物的所述表面直到所

　　所述鹵素系蝕刻氣體分別含有三氟化氯、三氟化氮、六氟化硫、氟、氯、溴化氫、四氟化

　　在對(duì)所述加工對(duì)象物進(jìn)行切割的工序中，作為所述鹵素系蝕刻氣體，使用無(wú)等離子體

　　的三氟化氯氣體，在10Pa以上且90kPa(abs)以下的壓力和上述材料的各氟化物的沸點(diǎn)以上

　　在對(duì)所述加工對(duì)象物進(jìn)行切割的工序中，在向所述鹵素系蝕刻氣體添加了無(wú)水氟化氫

　　所述加工對(duì)象物的材料含有硅、鎢、鈦、氮化鈦、鉬、二氧化硅、氮氧化硅和氮化硅中的

　　在對(duì)所述加工對(duì)象物進(jìn)行切割的工序中，作為蝕刻氣體使用等離子體的四氟化碳、六

　　氟化硫、三氟甲烷、氟化氫、氧中的至少任一者，在10Pa以上且0.8kPa(abs)以下的壓力和小

　　在對(duì)所述加工對(duì)象物進(jìn)行切割的工序中，作為蝕刻氣體使用等離子體的氯、溴化氫、氯

　　化氫、三氯化硼中的至少任一者，在10Pa以上且0.8kPa(abs)以下的壓力和小于200℃的溫

　　[0001]本發(fā)明涉及切割加工方法，特別涉及用于沿著切割預(yù)定線(xiàn)切割板狀的加工對(duì)象物

　　[0002]以往已知有這樣的加工方法：在通過(guò)使聚光點(diǎn)對(duì)準(zhǔn)板狀的加工對(duì)象物地照射激光

　　而形成了改性區(qū)域之后，對(duì)改性區(qū)域?qū)嵤┪g刻處理。該加工方法例如在日本特開(kāi)2004－

　　359475號(hào)公報(bào)(專(zhuān)利文獻(xiàn)1)中有所記載。在該公報(bào)所記載的加工方法中，作為對(duì)改性區(qū)域?qū)?

　　[0007]考慮使用上述公報(bào)所記載的加工方法切割半導(dǎo)體基板等加工對(duì)象物的切割加工

　　方法。在該情況下，考慮利用擴(kuò)展帶對(duì)半導(dǎo)體基板進(jìn)行切割和截?cái)唷Ｈ衾脭U(kuò)展帶對(duì)半導(dǎo)體

　　基板進(jìn)行切割和分割，則存在由于芯片產(chǎn)生表面粗糙和裂紋而導(dǎo)致芯片的機(jī)械強(qiáng)度下降這

　　樣的問(wèn)題。此外，在半導(dǎo)體基板被擴(kuò)展帶擴(kuò)展時(shí)，在芯片彼此的結(jié)合面積強(qiáng)度超過(guò)擴(kuò)展帶的

　　[0008]在由作為加工對(duì)象物的半導(dǎo)體基板形成的芯片的尺寸較小的情況下，優(yōu)選能夠進(jìn)

　　行與濕蝕刻處理相比微細(xì)的微細(xì)加工的干蝕刻處理。在作為對(duì)改性區(qū)域?qū)嵤┑奈g刻處理采

　　用通常的干蝕刻處理的情況下，蝕刻氣體與擴(kuò)展帶的基材和粘接劑發(fā)生反應(yīng)。由于該反應(yīng)

　　中的擴(kuò)展帶的化學(xué)變化和熱變化，導(dǎo)致擴(kuò)展帶以伸縮的方式變形。由于因該變形而對(duì)半導(dǎo)

　　體基板施加外部的應(yīng)力，因此存在半導(dǎo)體基板產(chǎn)生意料之外的切割和分割這樣的問(wèn)題。此

　　外，由于蝕刻氣體與擴(kuò)展帶反應(yīng)的反應(yīng)生成物附著于器件內(nèi)，因此存在產(chǎn)生清洗作業(yè)這樣

　　的問(wèn)題。此外，若欲避免蝕刻氣體與擴(kuò)展帶的反應(yīng)，則不得不抑制蝕刻氣體的壓力、處理溫

　　[0009]本發(fā)明是鑒于上述問(wèn)題而完成的，其目的在于，提供一種不使用擴(kuò)展帶就能夠沿

　　[0011]本發(fā)明的切割加工方法用于沿著切割預(yù)定線(xiàn)對(duì)板狀的加工對(duì)象物進(jìn)行切割。切割

　　加工方法包括以下工序：通過(guò)使聚光點(diǎn)對(duì)準(zhǔn)加工對(duì)象物地照射激光，從而在加工對(duì)象物沿

　　著切割預(yù)定線(xiàn)形成改性區(qū)域；以及在加工對(duì)象物形成了改性區(qū)域之后，沿著切割預(yù)定線(xiàn)對(duì)

　　加工對(duì)象物進(jìn)行切割。在對(duì)加工對(duì)象物進(jìn)行切割的工序中，通過(guò)在加工對(duì)象物借助自重和

　　吸附中的至少任一者固定于支承件的狀態(tài)下，從加工對(duì)象物的表面朝向背面實(shí)施干蝕刻處

　　[0013]采用本發(fā)明的切割加工方法，不使用擴(kuò)展帶就能夠沿著切割預(yù)定線(xiàn)對(duì)加工對(duì)象物

　　[0014]圖1是本發(fā)明的實(shí)施方式的切割加工方法中的加工對(duì)象物的概略俯視圖。

　　[0015]圖2是沿著圖1的II－II線(xiàn)是本發(fā)明的實(shí)施方式的切割加工方法中的改性區(qū)域的形成所使用的激光加工

　　[0017]圖4是本發(fā)明的實(shí)施方式的切割加工方法中的成為改性區(qū)域的形成的對(duì)象的加工

　　[0018]圖5是沿著圖4的V－V線(xiàn)是本發(fā)明的實(shí)施方式的切割加工方法中的激光加工后的加工對(duì)象物的概略俯

　　[0020]圖7是沿著圖6的VII－VII線(xiàn)的VIII－VIII線(xiàn)是本發(fā)明的實(shí)施方式的切割加工方法中的形成了改性區(qū)域之后的加工對(duì)象物

　　[0023]圖10是沿著圖9的X－X線(xiàn)是本發(fā)明的實(shí)施方式的切割加工方法中的槽的形成所使用的蝕刻處理裝置

　　[0025]圖12是本發(fā)明的實(shí)施方式的切割加工方法中的形成了槽之后的加工對(duì)象物的概

　　[0028]圖15是用于說(shuō)明對(duì)圖10的區(qū)域A實(shí)施的干蝕刻處理的放大剖視圖。

　　[0029]圖16是用于說(shuō)明在圖10的區(qū)域A中對(duì)加工對(duì)象物進(jìn)行了切割的狀態(tài)的放大剖視

　　[0031]圖18是沿著圖17的XVIII－XVIII線(xiàn)是本發(fā)明的實(shí)施方式的切割加工方法中的激光加工后的加工對(duì)象物中的TEG

　　[0033]圖20是用于說(shuō)明對(duì)圖19的TEG形成區(qū)域?qū)嵤┑母晌g刻處理的放大剖視圖。

　　[0034]以下，參照附圖說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式的切割加工方法。另外，只要沒(méi)有特別說(shuō)

　　[0035]參照?qǐng)D1和圖2，準(zhǔn)備本發(fā)明的實(shí)施方式的切割加工方法的加工對(duì)象物1。如圖1和

　　圖2所示，加工對(duì)象物1例如是半導(dǎo)體基板。以下說(shuō)明加工對(duì)象物1是半導(dǎo)體基板的情況。

　　[0036]作為加工對(duì)象物1的半導(dǎo)體基板構(gòu)成為大致圓板狀。在加工對(duì)象物(半導(dǎo)體基板)1

　　的外周設(shè)有定位平面2。加工對(duì)象物(半導(dǎo)體基板)1例如是硅(Si)晶片等。

　　[0037]在加工對(duì)象物(半導(dǎo)體基板)1的表面3設(shè)有多個(gè)功能元件(未圖示)。也就是說(shuō)，加

　　工對(duì)象物(半導(dǎo)體基板)1包含基板主體和配置于基板主體的表面的多個(gè)功能元件。功能元

　　件例如是通過(guò)晶體生長(zhǎng)而形成的半導(dǎo)體動(dòng)作層、光電二極管等受光元件、激光二極管等發(fā)

　　光元件、或者作為電路形成的電路元件等。功能元件在與半導(dǎo)體基板的定位平面2平行的方

　　[0038]接著，參照?qǐng)D3～圖10說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式的切割加工方法中的改性區(qū)域的形

　　[0039]如圖3所示，激光加工裝置100包括用于脈沖發(fā)出激光(加工用激光)L的激光光源

　　101、以將激光L的光軸的方向改變90°的方式配置的分色鏡103和用于會(huì)聚激光L的聚光用

　　透鏡105。此外，激光加工裝置100還包括用于支承被由聚光用透鏡105會(huì)聚的激光L照射的

　　加工對(duì)象物(半導(dǎo)體基板)1的支承座107、用于使支承座107沿著X、Y、Z軸方向移動(dòng)的臺(tái)架

　　111、為了調(diào)節(jié)激光L的輸出、脈沖寬度等而控制激光光源101的激光光源控制部102、以及用

　　[0040]在該激光加工裝置100中，利用分色鏡103將從激光光源101射出的激光L的光軸的

　　方向改變90°，并利用聚光用透鏡105將激光L會(huì)聚于載置在支承座107上的加工對(duì)象物(半

　　導(dǎo)體基板)1的內(nèi)部。與此同時(shí)，使臺(tái)架111移動(dòng)，使加工對(duì)象物(半導(dǎo)體基板)1相對(duì)于激光L

　　沿著切割預(yù)定線(xiàn)相對(duì)移動(dòng)。由此，在加工對(duì)象物(半導(dǎo)體基板)1沿著切割預(yù)定線(xiàn)形成成為

　　[0041]如圖4所示，在板狀的加工對(duì)象物(半導(dǎo)體基板)1設(shè)定有用于切割加工對(duì)象物(半

　　形成改性區(qū)域的情況下，如圖5所示，在使聚光點(diǎn)P對(duì)準(zhǔn)加工對(duì)象物(半導(dǎo)體基板)1的內(nèi)部的

　　狀態(tài)下，使激光L沿著切割預(yù)定線(xiàn)的箭頭A方向)相對(duì)地移動(dòng)。由此，如圖6～圖8所

　　示，在加工對(duì)象物(半導(dǎo)體基板)1的內(nèi)部沿著切割預(yù)定線(xiàn)，沿著切割預(yù)定線(xiàn)]另外，聚光點(diǎn)P是指激光L會(huì)聚的部位。此外，切割預(yù)定線(xiàn)不限于直線(xiàn)狀，而可以是

　　既有連續(xù)地形成的情況，也有斷續(xù)地形成的情況。此外，改性區(qū)域7至少形成于加工對(duì)象物1

　　的內(nèi)部即可。此外，還有以改性區(qū)域7為起點(diǎn)地形成有龜裂的情況，龜裂和改性區(qū)域7也可以

　　[0043]改性區(qū)域7是指成為密度、折射率、機(jī)械強(qiáng)度、其他的物理特性與周?chē)煌臓顟B(tài)

　　的區(qū)域。例如有熔融處理區(qū)域、裂紋區(qū)域、絕緣擊穿區(qū)域、折射率變化區(qū)域等，也有上述的區(qū)

　　[0044]再次參照?qǐng)D3，加工對(duì)象物(半導(dǎo)體基板)1固定于激光加工裝置100的支承座107

　　上。然后，將加工對(duì)象物(半導(dǎo)體基板)1的表面3作為激光入射面而使聚光點(diǎn)P對(duì)準(zhǔn)加工對(duì)象

　　物(半導(dǎo)體基板)1的內(nèi)部地照射激光L，通過(guò)支承座107的移動(dòng)，使聚光點(diǎn)P沿著以通過(guò)相鄰

　　[0045]由此，如圖9所示，在加工對(duì)象物(半導(dǎo)體基板)1上呈格子狀形成改性區(qū)域7。此外，

　　如圖10所示，星空體育APP在加工對(duì)象物(半導(dǎo)體基板)1的內(nèi)部，從加工對(duì)象物(半導(dǎo)體基板)1的表面3側(cè)

　　朝向背面4側(cè)形成改性區(qū)域7。也就是說(shuō)，沿著加工對(duì)象物(半導(dǎo)體基板)1的厚度方向形成改

　　[0046]接著，參照?qǐng)D11～圖16說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式的切割加工方法中的槽9的形成。首

　　[0047]如圖11所示，蝕刻處理裝置200包括腔室201、臺(tái)架(支承件)202、壓力計(jì)203、溫度

　　[0048]在蝕刻處理裝置200中，腔室201構(gòu)成為收納形成有改性區(qū)域7的加工對(duì)象物(半導(dǎo)

　　體基板)1。在配置于腔室201內(nèi)的臺(tái)架202上載置加工對(duì)象物(半導(dǎo)體基板)1。加工對(duì)象物

　　(半導(dǎo)體基板)1借助自重而固定于臺(tái)架202。此外，臺(tái)架202也可以具備吸附裝置202a。在該

　　情況下，加工對(duì)象物(半導(dǎo)體基板)1借助吸附裝置202a的吸附而固定于臺(tái)架202。吸附裝置

　　202a例如是靜電卡盤(pán)、真空卡盤(pán)等。也就是說(shuō)，加工對(duì)象物(半導(dǎo)體基板)1借助自重和吸附

　　中的至少任一者固定于臺(tái)架202。臺(tái)架202構(gòu)成為能夠調(diào)節(jié)溫度。通過(guò)在加工對(duì)象物(半導(dǎo)體

　　基板)1載置于臺(tái)架202的狀態(tài)下加熱臺(tái)架202，從而將加工對(duì)象物(半導(dǎo)體基板)1加熱為與

　　[0049]在腔室201連接有用于測(cè)量腔室201內(nèi)的壓力的壓力計(jì)203。在臺(tái)架202連接有用于

　　根據(jù)臺(tái)架202的溫度來(lái)測(cè)量加工對(duì)象物1的溫度的溫度計(jì)204。溫度計(jì)204連接于臺(tái)架202，通

　　過(guò)測(cè)量臺(tái)架202的溫度來(lái)測(cè)量被加熱為與臺(tái)架202相同的溫度的加工對(duì)象物(半導(dǎo)體基板)1

　　[0050]第1氣體供給裝置210借助配管經(jīng)由流量控制器209、閥208、閥207連接于腔室201。

　　第1氣體供給裝置210構(gòu)成為能夠供給蝕刻氣體。此外，第2氣體供給裝置213借助配管經(jīng)由

　　流量控制器212、閥211、閥207連接于腔室201。第2氣體供給裝置213構(gòu)成為能夠供給蝕刻氣

　　體。從第2氣體供給裝置213供給的蝕刻氣體既可以是與從第1氣體供給裝置210供給的蝕刻

　　氣體相同的蝕刻氣體，也可以是與從第1氣體供給裝置210供給的蝕刻氣體不同的蝕刻氣

　　體。閥205、閥207、閥208、閥211例如是電子調(diào)節(jié)閥等。流量控制器209、212例如是質(zhì)量流量

　　[0051]另外，在圖11中，蝕刻處理裝置200除了具備第1氣體供給裝置210之外還具備第2

　　氣體供給裝置213，但也可以?xún)H具備第1氣體供給裝置210。也就是說(shuō)，蝕刻處理裝置200也可

　　以?xún)H具備一個(gè)氣體供給裝置。此外，蝕刻處理裝置200也可以具備三個(gè)以上的氣體供給裝

　　[0052]如圖12和圖13所示，在蝕刻處理裝置200中，實(shí)施從加工對(duì)象物(半導(dǎo)體基板)1的

　　表面3朝向背面4的干蝕刻處理。干蝕刻處理是使用例如六氟化硫(SF)、八氟環(huán)丁烷(CF)

　　及氧(O)的混合氣體進(jìn)行的各向異性的干蝕刻處理。由此來(lái)蝕刻加工對(duì)象物(半導(dǎo)體基板)

　　1的表面3。此時(shí)，在加工對(duì)象物(半導(dǎo)體基板)1中，例如為多晶硅的改性區(qū)域7的蝕刻速率高

　　于例如為單晶硅的非改性區(qū)域的蝕刻速率，因此在加工對(duì)象物(半導(dǎo)體基板)1的表面3沿著

　　[0053]通過(guò)在加工對(duì)象物(半導(dǎo)體基板)1借助自重和吸附中的至少任一者固定于臺(tái)架

　　202的狀態(tài)下，從加工對(duì)象物(半導(dǎo)體基板)1的表面3朝向背面4實(shí)施干蝕刻處理，從而從加

　　[0054]并且，參照?qǐng)D14～圖16詳細(xì)地說(shuō)明槽9的形成。圖14～圖16與圖10和圖13中的由單

　　[0055]如圖14所示，在加工對(duì)象物(半導(dǎo)體基板)1形成了改性區(qū)域7之后，沿著圖4所示的

　　切割預(yù)定線(xiàn)對(duì)加工對(duì)象物(半導(dǎo)體基板)1進(jìn)行切割。也就是說(shuō)，如圖15所示，對(duì)加工對(duì)象物

　　(半導(dǎo)體基板)1從加工對(duì)象物(半導(dǎo)體基板)1的表面3朝向背面4實(shí)施干蝕刻處理。通過(guò)干蝕

　　刻處理來(lái)蝕刻加工對(duì)象物(半導(dǎo)體基板)1的表面3。并且，從加工對(duì)象物(半導(dǎo)體基板)1的表

　　[0056]如圖16所示，通過(guò)進(jìn)一步實(shí)施干蝕刻處理來(lái)蝕刻加工對(duì)象物(半導(dǎo)體基板)1的表

　　面3。并且，槽9從加工對(duì)象物1的表面3直到背面4地形成。這樣，沿著改性區(qū)域7對(duì)加工對(duì)象

　　物(半導(dǎo)體基板)1進(jìn)行切割。此外，在圖12和圖13中，表示由切割后的加工對(duì)象物(半導(dǎo)體基

　　[0057]接著，參照?qǐng)D17和圖18，將切割后的加工對(duì)象物(半導(dǎo)體基板)1分割成各芯片。也

　　就是說(shuō)，各芯片間距離擴(kuò)寬。在圖17和圖18中，表示各芯片間距離保持一定以上距離的狀

　　態(tài)。另外，各芯片間距離只要是適合以下工序的距離即可。也可以是，在對(duì)加工對(duì)象物(半導(dǎo)

　　體基板)1進(jìn)行切割之后，將其轉(zhuǎn)印到擴(kuò)展帶上，使擴(kuò)展帶擴(kuò)展(擴(kuò)張)，從而將加工對(duì)象物

　　[0058]接著，詳細(xì)地說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式的切割加工方法中的干蝕刻處理所使用的蝕

　　[0059]也可以是，第1干蝕刻處理和第2干蝕刻處理分別使用鹵素系蝕刻氣體。此外，也可

　　以是，第1干蝕刻處理～第n干蝕刻處理分別使用鹵素系蝕刻氣體。也可以是，星空體育APP鹵素系蝕刻氣

　　體各自含有三氟化氯(ClF)、三氟化氮(NF)、六氟化硫(SF)、氟(F)、氯(Cl)、溴化氫

　　(HBr)、四氟化碳(CF)、八氟環(huán)丁烷(CF)、三氟甲烷(CHF)、三氯化硼(BCl)中的至少任一

　　者。也就是說(shuō)，鹵素系蝕刻氣體可以是使用上述的材料的單獨(dú)氣體和混合氣體中的任一者。

　　[0061]采用本發(fā)明的實(shí)施方式的切割加工方法，在加工對(duì)象物(半導(dǎo)體基板)1形成了改

　　性區(qū)域7之后，沿著切割預(yù)定線(xiàn)對(duì)加工對(duì)象物(半導(dǎo)體基板)1進(jìn)行切割。通過(guò)在加工對(duì)象物

　　(半導(dǎo)體基板)1借助自重和吸附中的至少任一者固定于臺(tái)架202的狀態(tài)下，從加工對(duì)象物

　　(半導(dǎo)體基板)1的表面3朝向背面4實(shí)施干蝕刻處理，從而從加工對(duì)象物(半導(dǎo)體裝置)1的表

　　面3直到背面4地形成槽9。由此，沿著切割預(yù)定線(xiàn)對(duì)加工對(duì)象物(半導(dǎo)體基板)1進(jìn)行切割。

　　[0062]因而，不會(huì)為了切割和分割加工對(duì)象物(半導(dǎo)體基板)1而使用擴(kuò)展帶。因此，能夠

　　防止由于由擴(kuò)展帶引起芯片產(chǎn)生表面粗糙和裂紋而導(dǎo)致芯片的機(jī)械強(qiáng)度下降的狀況。此

　　外，由于芯片彼此的結(jié)合面積強(qiáng)度不會(huì)超過(guò)擴(kuò)展帶的粘接面積強(qiáng)度，因此能夠防止由于擴(kuò)

　　展帶而產(chǎn)生芯片形狀的不良的狀況。此外，能夠防止如下?tīng)顩r：蝕刻氣體與擴(kuò)展帶的基材和

　　粘接劑發(fā)生反應(yīng)，從而由于擴(kuò)展帶的化學(xué)變化和熱變化而導(dǎo)致擴(kuò)展帶以伸縮的方式變形。

　　因而，能夠防止由于因該變形對(duì)加工對(duì)象物(半導(dǎo)體基板)1施加外部的應(yīng)力而導(dǎo)致加工對(duì)

　　象物(半導(dǎo)體基板)1產(chǎn)生意料之外的切割和分割的狀況。此外，由于蝕刻氣體與擴(kuò)展帶反應(yīng)

　　的反應(yīng)生成物不會(huì)附著于器件內(nèi)，因此能夠防止清洗作業(yè)的產(chǎn)生。此外，由于蝕刻氣體不與

　　擴(kuò)展帶發(fā)生反應(yīng)，因此不必抑制蝕刻氣體的壓力、處理溫度。因此，能夠確保實(shí)用上足夠的

　　[0063]另外，在對(duì)加工對(duì)象物(半導(dǎo)體基板)1進(jìn)行切割之后，在為了分割而將其轉(zhuǎn)印到擴(kuò)

　　展帶上的情況下，由于轉(zhuǎn)印工序而使加工時(shí)間增加。但是，由于通過(guò)提高蝕刻氣體的壓力而

　　使與改性區(qū)域7發(fā)生反應(yīng)的活性種增加，因此能夠提高蝕刻速度。由此，能夠大幅度縮短蝕

　　[0064]采用本發(fā)明的實(shí)施方式的切割加工方法，干蝕刻處理能夠采用鹵素系蝕刻氣體。

　　[0065]采用本發(fā)明的實(shí)施方式的切割加工方法，作為鹵素系蝕刻氣體，能夠分別使用三

　　氟化氯(ClF)、三氟化氮(NF)、六氟化硫(SF)、氟(F)、氯(Cl)、溴化氫(HBr)、四氟化碳

　　(CF)、八氟環(huán)丁烷(CF)、三氟甲烷(CHF)、三氯化硼(BCl)中的至少任一者。

　　[0066]接著，說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式的切割加工方法的各種變形例。首先，說(shuō)明本發(fā)明的

　　實(shí)施方式的切割加工方法的第1變形例。作為第1變形例，參照?qǐng)D19和圖20，有時(shí)在加工對(duì)象

　　作為T(mén)EG10的材料，使用鎢(W)、鈦(Ti)、氮化鈦(TiN)及鉬(Mo)中的至少任一者。也就是說(shuō)，

　　在該情況下，加工對(duì)象物(半導(dǎo)體基板)1包含基板主體、功能元件(未圖示)及TEG10。

　　中的至少任一者。在該情況下，在切割加工對(duì)象物1的工序中，也可以是，作為鹵素系蝕刻氣

　　體，使用無(wú)等離子體的三氟化氯(ClF)氣體，在10Pa以上且90kPa(abs)以下的壓力及材料3

　　的各氟化物的沸點(diǎn)以上且小于200℃的溫度的條件下實(shí)施干蝕刻處理。再次參照?qǐng)D11，該壓

　　[0068]在壓力小于10Pa的情況下，由于蝕刻的反應(yīng)速度變慢而導(dǎo)致蝕刻速度變慢，因此

　　10Pa以上。此外，即使壓力小于10Pa，從槽9排出的反應(yīng)完畢的潛在反應(yīng)副產(chǎn)物的量與壓力

　　設(shè)為10Pa的情況相比也毫無(wú)變化，因此壓力設(shè)為10Pa以上。此外，由于能夠利用機(jī)械增壓泵

　　而不是渦輪分子泵將壓力設(shè)為10Pa，因此壓力設(shè)為10Pa以上。此外，由于利用真空裝置將壓

　　力提高到90kPa以上是很困難的，因此壓力設(shè)為90kPa以下。能夠利用無(wú)等離子體的三氟化

　　氯(ClF)氣體在10Pa以上且90kPa(abs)以下的壓力的整個(gè)范圍內(nèi)蝕刻。因此，壓力的范圍

　　化鈦(TiN)及鉬(Mo)。因此，作為加工對(duì)象物的材料，使用硅(Si)、鎢(W)、鈦(Ti)、氮化鈦

　　(TiN)及鉬(Mo)。通過(guò)設(shè)為加工對(duì)象物1的材料的各氟化物的沸點(diǎn)以上，從而能夠確保各材

　　料的蝕刻速度，因此溫度設(shè)為材料的各氟化物的沸點(diǎn)以上。由于切割形成于加工對(duì)象物1的

　　[0069]在本發(fā)明的實(shí)施方式的切割加工方法的第1變形例中，也可以是，加工對(duì)象物1的

　　材料含有硅(Si)、鎢(W)、鈦(Ti)、氮化鈦(TiN)及鉬(Mo)中的至少任一者。在該情況下，在切

　　割加工對(duì)象物1的工序中，也可以是，作為鹵素系蝕刻氣體，使用無(wú)等離子體的三氟化氯

　　(ClF)氣體，在10Pa以上且90kPa(abs)以下的壓力及材料的各氟化物的沸點(diǎn)以上且小于

　　200℃的溫度的條件下實(shí)施干蝕刻處理。由此，能夠蝕刻含有硅(Si)、鎢(W)、鈦(Ti)、氮化鈦

　　[0070]接著，說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式的切割加工方法的第2變形例。作為第2變形例，有時(shí)

　　在加工對(duì)象物的切割預(yù)定線(xiàn)上形成有絕緣膜。在該情況下，作為絕緣膜的材料，使用二氧化

　　硅(SiO)、氮氧化硅(SiON)及氮化硅(SiN)中的至少任一者。另外，SiN以構(gòu)成SiN化合物的

　　原子數(shù)的比(組成)如化學(xué)式那樣地存在的SiN為中心地按照組成比(x)具有變更幅度。x的

　　值也可以是例如1.0以上且1.5以下。在該情況下，加工對(duì)象物(半導(dǎo)體基板)包含基板主體、

　　[0071]因而，加工對(duì)象物的材料有時(shí)含有二氧化硅(SiO)、氮氧化硅(SiON)及氮化硅

　　(SiN)中的至少任一者。在該情況下，在切割加工對(duì)象物的工序中，也可以是，在向鹵素系

　　蝕刻氣體添加了無(wú)水氟化氫(HF)的狀態(tài)下實(shí)施第1干蝕刻處理和第2干蝕刻處理。向鹵素系

　　蝕刻氣體添加無(wú)水氟化氫(HF)而得到的蝕刻氣體能夠蝕刻二氧化硅(SiO)、氮氧化硅

　　(SiON)及氮化硅(SiN)。因此，蝕刻氣體成為向鹵素系蝕刻氣體添加了無(wú)水氟化氫(HF)的

　　[0072]在本發(fā)明的實(shí)施方式的切割加工方法的第2變形例中，也可以是，加工對(duì)象物的材

　　料含有二氧化硅(SiO)、氮氧化硅(SiON)及氮化硅(SiN)中的至少任一者。在該情況下，在

　　切割加工對(duì)象物的工序中，也可以是，在向鹵素系蝕刻氣體添加了無(wú)水氟化氫(HF)的狀態(tài)

　　下實(shí)施干蝕刻處理。由此，能夠蝕刻含有二氧化硅(SiO)、氮氧化硅(SiON)及氮化硅(SiN)

　　[0073]另外，在上述的本發(fā)明的實(shí)施方式的切割加工方法的第1變形例和第2變形例的無(wú)

　　等離子體的多個(gè)干蝕刻處理中，也可以是，與即將進(jìn)行各干蝕刻處理之前的減壓處理相比，

　　[0074]接著，說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式的切割加工方法的第3變形例。作為第3變形例，有時(shí)

　　在加工對(duì)象物的切割預(yù)定線(xiàn)上形成有TEG和絕緣膜。在該情況下，有時(shí)作為T(mén)EG的材料，使用

　　鎢(W)、鈦(Ti)、氮化鈦(TiN)及鉬(Mo)中的至少任一者，作為絕緣膜的材料，使用二氧化硅

　　[0075]因而，加工對(duì)象物的材料有時(shí)含有硅(Si)、鎢(W)、鈦(Ti)、氮化鈦(TiN)及鉬(Mo)、

　　二氧化硅(SiO)、氮氧化硅(SiON)及氮化硅(SiN)中的至少任一者。在該情況下，在切割加

　　工對(duì)象物的工序中，也可以是，作為蝕刻氣體，使用等離子體的四氟化碳(CF)、六氟化硫

　　下的壓力及小于200℃的溫度的條件下實(shí)施干蝕刻處理。該壓力是腔室內(nèi)的壓力。該溫度是

　　及氮化硅(SiN)。因此，作為加工對(duì)象物的材料，使用硅(Si)、鎢(W)、鈦(Ti)、氮化鈦(TiN)

　　及鉬(Mo)、二氧化硅(SiO)、氮氧化硅(SiON)及氮化硅(SiN)。由于遠(yuǎn)程等離子體的最高輸

　　[0077]在本發(fā)明的實(shí)施方式的切割加工方法的第3變形例中，也可以是，加工對(duì)象物的材

　　氮化硅(SiN)中的至少任一者。在該情況下，也可以是，切割加工對(duì)象物的工序作為蝕刻氣

　　體使用等離子體的四氟化碳(CF)、六氟化硫(SF)、三氟甲烷(CHF)、氟化氫(HF)、氧(O)中

　　的至少任一者，在10Pa以上且0.8kPa(abs)以下的壓力及小于200℃的溫度的條件下實(shí)施干

　　蝕刻處理。由此，能夠蝕刻硅(Si)、鎢(W)、鈦(Ti)、氮化鈦(TiN)及鉬(Mo)、二氧化硅(SiO)、

　　[0078]接著，說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式的切割加工方法的第4變形例。作為第4變形例，有時(shí)

　　在加工對(duì)象物的切割預(yù)定線(xiàn)上形成有鋁膜和TEG的情況。在該情況下，作為鋁膜的材料，使

　　用鋁(Al)，作為T(mén)EG的材料，使用鎢(W)、鈦(Ti)、氮化鈦(TiN)及鉬(Mo)中的至少任一者。

　　[0079]因而，加工對(duì)象物的材料有時(shí)含有鋁(Al)、硅(Si)、鎢(W)、鈦(Ti)、氮化鈦(TiN)及

　　鉬(Mo)中的至少任一者。在該情況下，也可以是，切割加工對(duì)象物的工序作為蝕刻氣體使用

　　等離子體的氯(Cl)、溴化氫(HBr)、氯化氫(HCl)、三氯化硼(BCl)中的至少任一者，在10Pa

　　以上且0.8kPa(abs)以下的壓力及小于200℃的溫度的條件下實(shí)施干蝕刻處理。該壓力是腔

　　(Al)、硅(Si)、鎢(W)、鈦(Ti)、氮化鈦(TiN)及鉬(Mo)。因此，作為加工對(duì)象物的材料，使用鋁

　　[0081]在本發(fā)明的實(shí)施方式的切割加工方法的第4變形例中，加工對(duì)象物的材料含有鋁

　　(Al)、硅(Si)、鎢(W)、鈦(Ti)、氮化鈦(TiN)及鉬(Mo)中的至少任一者。也可以是，切割加工

　　對(duì)象物的工序作為蝕刻氣體使用等離子體的氯(Cl)、溴化氫(HBr)、氯化氫(HCl)、三氯化

　　硼(BCl)中的至少任一者，在10Pa以上且0.8kPa(abs)以下的壓力及小于200℃的溫度的條

　　件下實(shí)施干蝕刻處理。由此，能夠蝕刻含有鋁(Al)、硅(Si)、鎢(W)、鈦(Ti)、氮化鈦(TiN)及

　　[0082]另外，在上述的本發(fā)明的實(shí)施方式的切割加工方法中的第3變形例和第4變形例的

　　利用等離子體放電的多個(gè)干蝕刻處理中，也可以是，與即將進(jìn)行各干蝕刻處理之前的減壓

　　[0083]此外，在利用放電用壓力控制閥將氣體放電空間和基板設(shè)置空間分隔的順流等離

　　子體處理的情況下，也可以是，在氣體放電空間的壓力維持恒定的前提下，基板設(shè)置空間的

　　[0084]應(yīng)認(rèn)為本次公開(kāi)的實(shí)施方式在所有的方面都是例示，并不是限制性的。本發(fā)明的

　　范圍由權(quán)利要求書(shū)表示，而不是由上述的說(shuō)明表示，意圖包含與權(quán)利要求同等的意思和范

　　[0086]1、加工對(duì)象物；3、表面；4、背面；5、切割預(yù)定線(xiàn)、腔室；202、臺(tái)架；203、壓力計(jì)；204、溫度計(jì)；205、207、208、

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