日本晶圓設備制造商DISCO于2023年12月推出全新的SiC（碳化硅）切割設備，可將碳化硅晶圓的切割速度提高10倍，首批產(chǎn)品已交付客戶。由于碳化硅的硬度僅次于金剛石和碳化硼，硬度是硅的1.8倍，因此切割難度較大。
此外，DISCO于15年前開發(fā)了一種設備，可以減少HBM高帶寬內存加工過程中的浪費。最近隨著人工智能的興起，這類設備銷售激增。由于HBM生產(chǎn)成本高昂，存儲芯片制造商往往將后段工藝流程外包，這一策略促進了對DISCO設備采購的需求。
據(jù)悉，DISCO在晶圓切割和研磨機領域占據(jù)70~80%市場份額，公司市值在2023年增長三倍，并且研發(fā)支出創(chuàng)下了250億日元（約合1.75億美元）的新高。DISCO當前的重點是HBM和碳化硅晶圓切割設備。
2023年7月，DISCO宣布在日本熊本縣建立一個“中間工藝研發(fā)中心”，按照DISCO的定義，中段制程包括對成品晶圓進行切割，這一過程對良率和生產(chǎn)效率十分重要，因此加工過程中必須小心謹慎。
盡管美國和日本加強了半導體設備對中國出口管制，但DISCO在中國市場的收入暫時未受到影響。截至2022年3月，星空體育APP該公司約31%的收入來自中國，2023年7~9月增加至34%。
近兩年，每當討論半導體材料時，另一個話題“碳化硅”幾乎同時出現(xiàn)。碳化硅熱度可以說是一路狂飆，無疑成為了半導體領域的新寵。碳化硅是第三代半導體材料，與傳統(tǒng)硅基材料相比，碳化硅具有禁帶寬度大、熱導率高、臨界擊穿場強高、電子飽和速率高、抗輻射能力強等優(yōu)越的物理性能，適合制作高溫、高頻率、高功率、高電壓的大功率器件，能更好地適配電子通信、新能源等行業(yè)應用。顯而易見，碳化硅取代硅基是大勢所趨。
