?。罕景l(fā)明有關(guān)一種大尺寸晶片切割方法及其裝置，特別是晶片尺寸大于30.48厘米(12吋)的晶片切割方法及其裝置。

　?。寒?dāng)晶片在前段工序完成之后，便進(jìn)入到封裝工序，將芯片由晶片上切割下來再做封裝。晶片切割的目的是要將前段工序加工所完成晶片上一個(gè)個(gè)的芯片切割分離。一般會(huì)先將晶片送至研磨機(jī)臺(tái)對(duì)晶片進(jìn)行背面研磨(backsidegrinding)至適當(dāng)厚度，接著作晶片上膠(wafermount)程序，再將晶片送至晶片切割機(jī)上進(jìn)行切割(wafercut)。于封裝工序中，多是以晶片型式送至各工藝設(shè)備進(jìn)行作業(yè)。然而，隨著晶片尺寸不斷增大，其結(jié)構(gòu)強(qiáng)度會(huì)變?nèi)?，移?dòng)中晶片稍微的翹曲都可能造成斷裂，因此工藝中如何移動(dòng)大尺寸晶片將是一個(gè)急需克服的問題。

　　為了解決上述問題，本發(fā)明目的之一是提供大尺寸晶片切割方法及其設(shè)備，通過減少晶片移動(dòng)次數(shù)以避免移動(dòng)過程中的晶片損壞。本發(fā)明目的之一是提供大尺寸晶片切割方法及其設(shè)備，晶片加載一工作載臺(tái)即可進(jìn)行各項(xiàng)程序，可通過將工作載臺(tái)移動(dòng)至工藝裝置處或?qū)⒐に囇b置移動(dòng)至工作載臺(tái)來完成各項(xiàng)程序。為了達(dá)到上述目的，根據(jù)本發(fā)明一方面的大尺寸晶片切割方法，包括下列步驟加載一晶片于一工作載臺(tái)，其中晶片的主動(dòng)面是朝上且晶片尺寸大于30.48厘米；貼附一背部研磨膠帶于晶片的主動(dòng)面上；于工作載臺(tái)對(duì)晶片的背面進(jìn)行一研磨程序；貼附一保護(hù)膜于晶片的背面；移除晶片主動(dòng)面的背部研磨膠帶；以及于工作載臺(tái)切割晶片的主動(dòng)面以獲得多個(gè)芯片。根據(jù)本發(fā)明另一方面的大尺寸晶片切割設(shè)備，其包括一工作載臺(tái)，放棄用以承載一晶片，其中工作載臺(tái)承載的晶片尺寸大于30.48厘米；一第一貼膠裝置，其用以移動(dòng)至工作載臺(tái)以貼附一背部研磨膠帶于晶片的主動(dòng)面上；一研磨裝置，其用以移動(dòng)至工作載臺(tái)對(duì)晶片的背面進(jìn)行一研磨程序；一第二貼膠裝置，其用以移動(dòng)至工作載臺(tái)以貼附一保護(hù)膜于晶片的背面；一除膜裝置，其用以移動(dòng)至工作載臺(tái)以移除晶片主動(dòng)面的背部研磨膠帶；以及一切割裝置，其用以移動(dòng)至工作載臺(tái)以切割晶片的主動(dòng)面以獲得多個(gè)芯片。根據(jù)本發(fā)明又一方面的大尺寸晶片切割設(shè)備，其包括一工作載臺(tái)，其用以承載一晶片，其中工作載臺(tái)承載的晶片尺寸大于30.48厘米；一傳輸裝置，其用以移動(dòng)工作載臺(tái)；一第一貼膠裝置，其中工作載臺(tái)移動(dòng)至第一貼膠裝置處以貼附一背部研磨膠帶于晶片的主動(dòng)面上；一研磨裝置，其中工作載臺(tái)移動(dòng)至研磨裝置處以對(duì)晶片的背面進(jìn)行一研磨程序；一第二貼膠裝置，其中工作載臺(tái)移動(dòng)至第二貼膠裝置處以貼附一保護(hù)膜于晶片的背面；一除膜裝置，其中工作載臺(tái)移動(dòng)至除膜裝置以移除晶片主動(dòng)面的背部研磨膠帶；以及一切割裝置，其中工作載臺(tái)移動(dòng)至切割裝置處以切割晶片的主動(dòng)面以獲得多個(gè)芯片。圖1所示為根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的流程示意圖。圖2所示為根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的示意圖。圖3所示為根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的示意圖。圖4所示為根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的示意圖。圖5所示為根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的示意圖。具體實(shí)施例方式圖l所示為根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例晶片切割方法的流程示意圖。于本實(shí)施例中，首先加載一晶片于工作載臺(tái)(S10)。其中，晶片的主動(dòng)面是朝上且此晶片尺寸是大于30.48厘米(12吋)，例如45.72厘米(18吋)晶片。接著，貼附一背部研磨膠帶(backsidegrindingtape)于晶片的主動(dòng)面上(S20，貼膠程序，taping)。之后，翻轉(zhuǎn)晶片使晶片背面朝上(S30，翻轉(zhuǎn)程序)并于工作載臺(tái)對(duì)晶片的背面進(jìn)行一研磨程序(S40，研磨程序，grinding)。研磨后，將貼附一保護(hù)膜(protectivefilm)于晶片的背面(S50,貼膠程序)。星空體育平臺(tái)接著，再次翻轉(zhuǎn)晶片使晶片的主動(dòng)面朝上(S60，翻轉(zhuǎn)程序)。移除晶片的主動(dòng)面上的背部研磨膠帶(S70，除膜程序，stri卯ing)。然后，于工作載臺(tái)上切割晶片的主動(dòng)面以獲得多個(gè)芯片(S80，切程序，cutting)。于本發(fā)明中，直到獲得多個(gè)芯片后，晶片始終承載于工作載臺(tái)上，無須移至不同工藝裝置處。接續(xù)上述說明，于一實(shí)施例中，于研磨程序中，可將一研磨裝置移動(dòng)于工作載臺(tái)位置或是將工作載臺(tái)移動(dòng)至一研磨裝置處進(jìn)行研磨的程序。星空體育平臺(tái)同樣的，于貼膠程序中，可將一貼膠裝置移動(dòng)于工作載臺(tái)位置或是將工作載臺(tái)移動(dòng)至一貼膠裝置處進(jìn)行背部研磨膠帶或是保護(hù)膜的貼膠程序。另外，于切割程序中，可將一切割裝置移動(dòng)至工作載臺(tái)位置或?qū)⒐ぷ鬏d臺(tái)移動(dòng)至一切割裝置處進(jìn)行切割程序。請(qǐng)參照?qǐng)D2所示，于的一實(shí)施例中，本發(fā)明大尺寸晶片切割設(shè)備包括一工作載臺(tái)(workingsusceptor)10;——第——貝占膠裝置(tapingdevice)20;——研磨裝置(grindingdevice)40;—第二貼膠裝置50;—除膜裝置(film-strippingdevice)60;以及一切割裝置(cuttingdevice)70。接續(xù)上述說明，工作載臺(tái)IO是用來承載一晶片，其中工作載臺(tái)承載的晶片尺寸大于30.48厘米。第一貼膠裝置20是用來移動(dòng)至工作載臺(tái)10以進(jìn)行貼附一背部研磨膠帶于晶片的主動(dòng)面。于一實(shí)施例中，還包括一晶片翻轉(zhuǎn)裝置30用以翻轉(zhuǎn)晶片使其主動(dòng)面朝下。研磨裝置40會(huì)移動(dòng)至工作載臺(tái)10對(duì)晶片的背面進(jìn)行一研磨程序。第二貼膠裝置50會(huì)移動(dòng)至工作載臺(tái)10進(jìn)行貼附一保護(hù)膜于晶片的背面。之后，晶片會(huì)再度翻轉(zhuǎn)使其主動(dòng)面朝上。除膜裝置60移動(dòng)至工作載臺(tái)10進(jìn)行移除晶片主動(dòng)面的背部研磨膠帶。最后進(jìn)行切割，切割裝置70移動(dòng)至工作載臺(tái)IO進(jìn)行切割晶片的主動(dòng)面以獲得多個(gè)芯片。若設(shè)備可克服無須翻轉(zhuǎn)晶片即可進(jìn)行貼膜、研磨或切割作業(yè)，本發(fā)明中并不限定一定要使用晶片翻轉(zhuǎn)裝置30。另外，本發(fā)明可利用機(jī)械手將第一貼膠裝置20、晶片翻轉(zhuǎn)裝置30、研磨裝置40、第二貼膠裝置50、除膜裝置60以及切割裝置70移動(dòng)至工作載臺(tái)10以進(jìn)行晶片各項(xiàng)程序。另外，亦可依照需求增設(shè)其它裝置80以機(jī)械手移動(dòng)至工作載臺(tái)IO進(jìn)行相關(guān)作業(yè)。繼續(xù)，于一實(shí)施例中，工作載臺(tái)IO可置至于一傳輸裝置上用來將工作載臺(tái)移動(dòng)至各個(gè)裝置處進(jìn)行相關(guān)晶片切割程序。此傳輸裝置可為一旋轉(zhuǎn)盤12(turntable),如圖3所示。工作載臺(tái)10設(shè)置于旋轉(zhuǎn)盤12上移動(dòng)至不同裝置處。如此，本發(fā)明大尺寸晶片切割設(shè)備可以進(jìn)行連續(xù)切割作業(yè)并提升產(chǎn)品產(chǎn)能。于一實(shí)施例中，此傳輸裝置亦可為一履帶12,而其它裝置，如第一貼膠裝置20、晶片翻轉(zhuǎn)裝置30、研磨裝置40、第二貼膠裝置50、除膜裝置60以及切割裝置70，可以連續(xù)直列式(in-line)設(shè)置或群聚式串聯(lián)(cluster)設(shè)置，如圖4與圖5所示。另外，可以理解的是于本發(fā)明中，在進(jìn)行各項(xiàng)程序時(shí)，應(yīng)有適當(dāng)?shù)母綦x與清除方式以避免過程中產(chǎn)生殘余物污染后續(xù)作業(yè)。綜合上述，本發(fā)明是通過減少晶片移動(dòng)次數(shù)以避免移動(dòng)過程中的晶片損壞。晶片加載一工作載臺(tái)即可進(jìn)行各項(xiàng)程序，可通過將工作載臺(tái)移動(dòng)至工藝裝置處或?qū)⒐に囇b置移動(dòng)至工作載臺(tái)來完成各項(xiàng)程序。以上所述的實(shí)施例僅是說明本發(fā)明的技術(shù)思想及特點(diǎn)，星空體育平臺(tái)其目的在使熟悉此項(xiàng)技術(shù)的人士能夠了解本發(fā)明的內(nèi)容并據(jù)以實(shí)施，當(dāng)不能以其限定本發(fā)明的專利范圍，即凡是根據(jù)本發(fā)明所揭示的精神所作的種種等同的改變或替換，仍應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的專利范圍內(nèi)。權(quán)利要求1.一種大尺寸晶片切割方法，包含下列步驟加載一晶片于一工作載臺(tái)，其中該晶片的主動(dòng)面是朝上且該晶片尺寸大于30.48厘米；貼附一背部研磨膠帶于該晶片的主動(dòng)面上；于該工作載臺(tái)對(duì)該晶片的背面進(jìn)行一研磨程序；貼附一保護(hù)膜于該晶片的背面；移除該晶片主動(dòng)面的該背部研磨膠帶；以及于該工作載臺(tái)切割該晶片的主動(dòng)面以獲得多個(gè)芯片。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的大尺寸晶片切割方法，其特征在于還包含移動(dòng)一研磨裝置于該工作載臺(tái)位置或移動(dòng)該工作載臺(tái)至一研磨裝置處進(jìn)行該研磨程序的步驟。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的大尺寸晶片切割方法，其特征在于還包含移動(dòng)一切割裝置于該工作載臺(tái)位置或移動(dòng)該工作載臺(tái)至一切割裝置處進(jìn)行該切割程序的步驟。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的大尺寸晶片切割方法，其特征在于還包含移動(dòng)一貼膠裝置于該工作載臺(tái)位置或移動(dòng)該工作載臺(tái)至一貼膠裝置處進(jìn)行該背部研磨膠帶的貼膠程序的步驟。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的大尺寸晶片切割方法，其特征在于還包含移動(dòng)一貼膠裝置于該工作載臺(tái)位置或移動(dòng)該工作載臺(tái)至一貼膠裝置處進(jìn)行該保護(hù)膜的貼膠程序的步驟。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的大尺寸晶片切割方法，其特征在于于該研磨程序前，還包含翻轉(zhuǎn)該晶片使該晶片背面朝上的步驟。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的大尺寸晶片切割方法，其特征在于于移除該背部研磨膠帶前，還包含翻轉(zhuǎn)該晶片使該晶片的主動(dòng)面朝上的步驟。8.—種大尺寸晶片切割設(shè)備，其包含一工作載臺(tái)，其用以承載一晶片，其中該工作載臺(tái)承載的該晶片尺寸大于30.48厘米；一第一貼膠裝置，其用以移動(dòng)至該工作載臺(tái)以貼附一背部研磨膠帶于該晶片的主動(dòng)面上；一研磨裝置，其用以移動(dòng)至該工作載臺(tái)對(duì)該晶片的背面進(jìn)行一研磨程序；一第二貼膠裝置，其用以移動(dòng)至該工作載臺(tái)以貼附一保護(hù)膜于該晶片的背面;一除膜裝置，其用以移動(dòng)至該工作載臺(tái)以移除該晶片主動(dòng)面的該背部研磨膠帶；以及一切割裝置，其用以移動(dòng)至該工作載臺(tái)以切割該晶片的主動(dòng)面以獲得多個(gè)芯片。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的大尺寸晶片切割設(shè)備，其特征在于還包含一晶片翻轉(zhuǎn)裝置用以翻轉(zhuǎn)該晶片。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的大尺寸晶片切割設(shè)備，其特征在于還包含一機(jī)械手用以將該第一貼膠裝置、該晶片翻轉(zhuǎn)裝置、該研磨裝置、該第二貼膠裝置、該除膜裝置以及該切割裝置移動(dòng)至該工作載臺(tái)以進(jìn)行各項(xiàng)程序。11.一種大尺寸晶片切割設(shè)備，其包含一工作載臺(tái)，其用以承載一晶片，其中該工作載臺(tái)承載的該晶片尺寸大于30.48厘米;一傳輸裝置，其用以移動(dòng)該工作載臺(tái)；一第一貼膠裝置，其中該工作載臺(tái)是移動(dòng)至該第一貼膠裝置處以貼附一背部研磨膠帶于該晶片的主動(dòng)面上；一研磨裝置，其中該工作載臺(tái)是移動(dòng)至該研磨裝置處以對(duì)該晶片的背面進(jìn)行一研磨程序；一第二貼膠裝置，其中該工作載臺(tái)是移動(dòng)至該第二貼膠裝置處以貼附一保護(hù)膜于該晶片的背面；一除膜裝置，其中該工作載臺(tái)是移動(dòng)至該除膜裝置以移除該晶片主動(dòng)面的該背部研磨膠帶；以及一切割裝置，其中該工作載臺(tái)是移動(dòng)至該切割裝置處以切割該晶片的主動(dòng)面以獲得多個(gè)芯片。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的大尺寸晶片切割設(shè)備，其特征在于該傳輸裝置是一旋轉(zhuǎn)盤或一履帶。13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的大尺寸晶片切割設(shè)備，其特征在于還包含一晶片翻轉(zhuǎn)裝置用以翻轉(zhuǎn)該工作載臺(tái)上的該晶片。全文摘要本發(fā)明有關(guān)一種大尺寸晶片切割方法及其設(shè)備，是通過減少晶片移動(dòng)次數(shù)以避免移動(dòng)過程中的晶片損壞。晶片加載一工作載臺(tái)即可進(jìn)行各項(xiàng)程序，并通過將工作載臺(tái)移動(dòng)至工藝裝置處或?qū)⒐に囇b置移動(dòng)至工作載臺(tái)來完成各項(xiàng)程序。文檔編號(hào)H01L21/70GK101625994SQ9公開日2010年1月13日申請(qǐng)日期2008年7月9日優(yōu)先權(quán)日2008年7月9日發(fā)明者劉俊賢,方立志申請(qǐng)人:力成科技股份有限公司

　　工程電磁場(chǎng)與磁技術(shù)，無線.氣動(dòng)光學(xué)成像用于精確制導(dǎo) 2.人工智能方法用于數(shù)據(jù)處理、預(yù)測(cè) 3.故障診斷和健康管理